Doktorander i nanoelektronik trippel-prisas

Sofia Johanssonfick i onsdags vet att hon erhållit best student paper award från 43rd European Solid-State Device Research Conference 2013 i Bucharest. Forskningen som presenterades rör sig om karakterisering av III-V MOSFETs, specifikt hur man men hjälp analys i ett väldigt brett frekvensspektra kan bestämma kvaliteten i oxiden på sub-nm-skala. Resultaten öppnar för vidare optimering av oxidkvaliteten hos nano-skalade transistorer.

Aein Shiribabadi studerar oxider på III-V halveldare och har tagit fram en modell för att beskriva inverkan av defekter i oxiden på responsen för kondensatorer och speciellt noterat effekten av minoritetsladdningsbärare i InAs vilket har ett mycket litet bandgap. Hon fick utmärkelsen på 18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics på Irland i Juni. Resultaten gör det möjligt att bättre beskriva vad som händer när en transistor switchar mellan olika tillstånd.

Cezar Zota erhöll pris vid 72nd Device Research Conference i USA i samma månad. Hans arbeten beskriver en ny metod att tillverka III-V MOSFETs baserade på laterala nanotrådar motsvarande en FinFET geometri. Speciellt har han studerat transistorernas högfrekvensegenskaper och visat att även transistorer i icke-planar geometri kan uppvisa goda egenskaper om resistanserna kan kontrolleras. Resultaten visar potentialen för III-V MOSFETs i extremt skalade geometrien.